33萬片！第三代半導體項目在青島高新區啟動！
來源：高新院 achie.org 日期：2022-03-01 點擊：次
2月28日，青島高新區2022年春季重點項目建設啟動儀式在華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目現場舉辦。
包括該項目在內的10個重點項目正式啟動建設，總投資110.98億元。
作為代表性開工項目的華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目，將建設半導體襯底智能生產工廠，加工生產新一代晶片襯底產品，有效突破我國芯片制約性難題。
開春迎來這樣高科技含量的項目，吹響了青島高新區打造創新驅動發展示范區和高質量發展先行區的沖鋒號，也為青島市建設新一代信息技術產業提振信“芯”。
開局就要奔跑，起步就是沖刺！
33萬片，彌補第三代半導體材料技術短板！
總投資7億元的華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目占地50畝，建筑面積5.4萬平方米，項目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導體化合物材料加工生產相關芯片襯底產品，廣泛用于光電子器件、大功率器件及通訊微波射頻器件。
“我們十年如一日深耕半導體化合物基礎材料的研發和生產，形成了藍寶石、磷化銦、碳化硅、氧化鎵等一系列第二代、第三代半導體化合物的技術儲備和產業化能力，致力于打造青島市半導體產業鏈科技創新平臺。”青島華芯晶元半導體科技有限公司董事長肖迪說。
氧化鎵晶體是一種新型的超寬禁帶半導體，它具有禁帶寬度更大、吸收截止邊更短、生長成本更低等突出優點，成為超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優選材料之一，由于其在軍事、能源、醫療、環境等領域的重要應用價值，近年來，氧化鎵材料及器件的研究與應用，呈現出顯著的加速發展勢頭，是當前德國、日本、美國等國家的研究熱點和競爭重點。
此次開工的“第三代半導體化合物晶片襯底項目”將建設半導體襯底智能生產工廠，加工生產新一代晶片襯底產品，有效助力突破我國芯片制約性難題，達產后將實現年產第三代大尺寸半導體化合物晶片襯底33萬片，年產值5億元，稅收2500萬元，項目順利開工標志著華芯第三代半導體材料批量生產進入了實質性的階段，為我國第三代半導體的產業化邁出了堅實的一步。
